| 型号： | DMN21D2UFB-7B | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| DMN21D2UFB-7B PDF |  |
| 标准包装 | 10,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 27.6pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装 | 3-X1DFN1006 |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | DMN21D2UFB-7BDIDKR |